砷化铟是由铟和砷搭建的Ⅲ一V族单质光电器件芯片板材。InAs就是一种难以纯化的光电器件芯片板材。非掺In．As多晶硅硅的用不完载流子有机废气酸度超出l×10/cm，恒温电子厂转入率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴转入率460cm/(V·s)。硫在In．As中的**分凝弹性系数相似1，故用做n型夹杂剂，以增进纵向设计载流子有机废气酸度规划的匀性。工业制造用的InAs(s)多晶硅硅，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

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