砷化铟是由铟和砷组合而成的Ⅲ一V族有机物半导体行业行业涂料。InAs有的是种没法纯化的半导体行业行业涂料。非掺In．As单晶体体的其他载流子密度多于l×10/cm，温度光电移迁率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴移迁率460cm/(V·s)。硫在In．As中的**分凝指数公式快要1，故应用于n型参杂剂，以加快坚向载流子密度区域的竖直性。工业化用的InAs(s)单晶体体，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

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