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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
发布时间:2022-02-14     作者:光电材料   分享到:

选取高低温高沸点溶剂热法治建设备了均衡粒度为4.4 nm的ZnO量子点。


以ZnO QD溶液为原料,采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜,并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃,ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。


光致发光分析表明,包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。


复合膜的光电公司耐热性受晶粒大小规格和复合膜中常见问题的影响到较多。跟随水温提高到450℃,光暗直流电压比(PDCR)从3723大大减少到371%,而卡死率从1.25提升到218 mA/W。


as金属涂层和250°c退火处理的聚酯薄膜基于其很大的接触面与重量比,在PDCR、攀升时光和越来越低时光方向还具有最好的光积极地响应,使其已成为钙钛矿太阳队能容量电池中的电商输送层。

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