利用**性原理研究了本征型光电材料TiO2和不同(Nb, N)共掺杂摩尔比下的单元电池结构、缺陷形成能和光电性能。

**，计算和分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的晶体结构和缺陷形成能。

看见跟随Nb夹杂着量的多，基层单位胞体质量分数和建立能也多，但在富氧室内环境下更易于建立常见问题。

然后，计算分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的电子结构、密度状态和光电性质。

会发现Nb使费米能级渗入导带(Nb, N) co-doped二阳极氧化钛,Nb内部的加入使其进行另一个N型半导体技术光学质量浓度较高,和N**的后果降低了禁带宽使用度和加入光降解常数。

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