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光电材料|化学抛光处理对CdZnTe多晶薄膜微观结构、光电性能的影响
发布时间:2022-01-05     作者:光电材料   分享到:

中心句对近空距不一样的美感法(CSS)生长的的CdZnTe多晶胶片采取了电学镜面抛光。

使用能谱仪(EDS)、原子核力高倍显微镜(AFM)、拉曼光谱仪(Raman)、电压电流量-电压电流量(I-V)的特点和电压电流量-耗时(I-T)测试仪了溴化甲醇结垢液体(CH3OH:Br2 = 50:1.5)的结垢耗时对组成部分的损害。

CdZnTe多晶塑料膜的的表面形貌和光电材料耐腐蚀性。

成果体现了,相当的电化学磨光事件会变低CdZnTe胶片的漆层很糙度、漆层不足和漏电流。

纠正CdZnTe透气膜的光电技术机械性能。

较多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化橡胶铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化反应村料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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