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光电材料|Fe-Co共掺杂g-C3N4的光电性能研究
发布时间:2022-01-05     作者:光电材料   分享到:

通过实验和**性原理制备了光电材料Fe、Co和Fe-Co共掺杂的g-C3N4,研究了其掺杂机理和光电性能。

光电材料FTIR、XRD和模拟结果表明,掺杂g-C3N4的C-N结构被拉伸并形成高度共轭的体系,Fe、Co和相邻N原子之间的离子相互作用较强,导致较不明显的(0 0 2)择优取向。

UV-DRS和防真导致取决于,Fe-Co codoped g-C3N4都具有非常好的融合等微电子器件优点,微电子导性致使铁和钴掺入物,如浅施主一些缺陷,使价带位移到较低的卡路里(红移)。

这有机会象征着同一个潜在性的使用发展前途近红外光谱和屏蔽光磁学元器件封装。

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