纳米硅量子点(Si QDs)的发光机制研究
硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,因此硅量子点受到了研究者的关注。
图1 性能表征
a,会根据Gregorkiewicz论述组的实验英文大数据，硅量子点接间带隙基态PL带和高激光间接带隙PL带随量子点的直径长宽优化的的变化。
b,这对的直径3，在温暖为70 K得出的单量子发光谱仪和吸附谱与本体论计算方式結果的特别。
c,Gregorkiewicz学习组的测试数据统计提出随量子点扩大会带隙在力量是什么上短时间红移（光谱分析上的红移是说光波力量是什么变小，光波光波长变大），该学习的原理没想到提出随硅量子点变小，会带隙没情况**红移，却是有块点蓝移。
图2 研究数据源的比较
灰色，桔红色和蓝绿色符合分辨相当于于兼有其他Γ-基本特征描述、兼有≥10％和≥50％的Γ-基本特征描述的**电量程序。
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