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ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学材料经营性质

采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一;

选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。

将这两种方式量子点围合成双量子点装修标准,大幅度增长了半导双量子点材质的上转化成带光有效率。
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只为分析上准换会亮的时候,分析人士显示了能拥有更强势能光量子的几种有可能路径。共鸣抑制还要**个吸纳率的作用的光量子趋于稳定共鸣感觉(在 820nm),这当中又能能实行就像文中2a 图甲是的**次共鸣带内吸纳率的作用(仅在 820nm 处吸纳率的作用)或实行就像文中 2b 图甲是的带间吸纳率的作用(也在 1064nm 处停用)实行。双光量子吸纳率的作用(图2c)与 UC 时候类式都能抑制出同等的高势能会亮,但它就是一个瞬时时候,不有关在激会亮子处有吸纳率的作用共鸣,也能能买来做相比。

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Cu参杂的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点

InP@ZnSeS荧光量子点

InGaP@ZnS荧光量子点

InP/CdS核壳的结构量子点

InAs/InP量子点

InAs/InP QDs

InAs/InGaAsP/InP量子点

GaP和AlP壳的INP量子点

InAs/InGaAsP/InP叠层设备构造量子点

InP/ZnS核壳量子点

Li,zn金属件铝离子参杂的InP量子点(分为记为Li:InP和Zn:InP)

近红外荧光发射卫星的InP量子点

InAs/InP共手工面条状量子点

InP/GaP/ZnS量子点

InP与ZnSe基荧光量子点

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