碲化铟(InTe) <100> 取向 单晶基片
碲化铟多晶体indium =elluride crys<<<l In2Te3周期公式表第 m. Gr族属性有机物半导。共价键综合,有阳离子键组成。闪锌矿型成分。硬度5.7撇/cm3凝固点6fi7};。禁带宽的配置度 1 . C1eV,基本上为n塑钢型材料。电子技术和空穴变迁率依次为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法制建设备。适用于做红外遥测器。