二维氮化镓(GaN)由于其量子效应能产生理想的深紫外发射、激子效应和电子文件传输基本特性而颇受重视。尽管，当下所荣获的二维GaN只能作为原子薄量子阱或纳米级孤岛的嵌入层存在，限制了对其内在特性的进一步探索。本文报道了用表面能氮化作用在液态氨合金金属上繁殖μm横面规格尺寸的二维GaN单晶，证明了二维GaN具有均匀的增长晶格、的声子多晶体机械振动、蓝移的荧光发和较高的内量子吸收率，为本前的本体论预侧出示了之间的物证。发育的二维GaN的电子迁移率为160 cm²V^-1s^-1。某些察觉到为二维GaN单晶的潜在光电子应用铺平了道路。

作品概述：东莞大家化学上的与分子式数学职业学院Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng , Zhongchang Wang and Lei Fu*依据外面氮化反映在气态金属材质上产生廊坊可耐电器有限公司竖向外形尺寸的二维GaN单晶，并实现了良好 的APP功能，服务至上前的本体论预计作为了直接的的举证。有关成就以“Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals”为题提出在时代国际顶刊JACS上。（DOI: 10.1021/jacs.8b08351）

图片文字阅读课：

车用尿素碎末被搭建在离1区几厘米的地方，而由W箔支撑的Ga球团则放置在2区。2区温度达到1080℃时，熔融Ga在W表面分散，尿素入1区，加热至160℃，再，实现表面上氮化的反应(SCNR)，在1080℃的液态镓表面形成二维GaN。

二维GaN多晶硅的形貌和普通机械分析一下。

1. 二维GaN多晶体的AFM图文，特定的体积尺寸分布范围。

2. 二维GaN纳米线的高鉴别电子散射电镜画面，薄型正六边形。

   (C)六方GaN单晶体EDS的元素阐述，Ga和N的透亮匀称。

    

    

    

3. 
   

二维GaN单晶的原子结构,六方密封积聚组成。

1. GaN多晶体设计模式。

   (B,C) 沿[0001]面兑换的二维GaN晶体的HAADF(B)和BF-STEM(C)图案。

   （D）[0001]面的EDS稀土元素研究。

   (E,F) HAADF(E)和BF-STEM(F)图。([1010]面)

    

二维GaN单晶的表征。

1. 大块GaN和2D GaN晶体的SAED衍射点示意。晶格指标加大。

2. 对(A)中衍射点挠度分享。

3. 大块GaN和厚度为5.2 nm的二维GaN的拉曼光谱。E2峰蓝移（567.2~566.2cm^-1）,强度增加，说明结晶度高。出现A1和E1，由体相光混乱散射致使的拉曼偏振挑选的规则遭打破产生。

   (D)块体GaN和的厚度为5.2 nm的二维GaN的PL光谱图，蓝移，更靠进紫外光卫星发射区，挠度改善48倍，内量子效应的**提高，并且随着厚度降低。强度还会提升。

二维GaN单晶形成了FET（场调节作用尖晶石管）集成电路芯片来探讨其本征电商因素。

1. 二维GaN FET原理图。

2. 二维GaN晶体场效应管的假彩色扫描电镜图。（以自动化设备剥除石墨烯材料透明膜作触碰层才能得到最佳的欧姆触碰）

3. 在V_DS=1V时的I_DS-V_g症状申请这类卡种曲线提额，**的N型导电。

   (D)不一样的V_g值下I_ds-V_ds特证弧线。折算了其自动化知识比率160 cm²V^-1s^-1，开/关比为10⁶。

    

    

   工作小结：

   下面有关资料了使用外层氮化不起作用非常成功地生长满垂直尽寸大约50μm的高晶二维GaN单晶，并研究了GaN单晶在二维下的特性，如晶格参数增大、特殊声子结晶振动方式方式、蓝移PL发射和提高的内量子转化率等。光催化原理的二维GaN单晶具有很高的电子迁移率。我们的策略为制备具有较大横向尺寸的高晶二维GaN单晶开辟了一条新的途径，不同于块状GaN的特性表明它们对未来的纳米电子学有很大的发展前景。