乳白色导体（TCs）作罢为意式光电公司子物品（如有光肖特基二极管（LED）、摸屏和可使用自动化物品）无法或缺的组成地方地方。近年，常用的铟锡钝化物（ITO）会因为兼备高的导电性和电子散射率（90%电子散射率时为10Ω/sq），就会占据了乃至地方的专业市场占额（>90%）。尽管，原因ITO自身的机械装备没有安全感性、高制造费溅射流程、月球上的铟储量低，能让其在TCs制造业中的为核心身份较为严重克制。因而，多种多样应有尽有的物料，如金属材质纳米技术级线（NWs）系统、石墨烯材料（GR）、碳纳米技术级管和导电配位高聚物等，就被广泛应用调查以所代替ITO看做下一批TCs。在复合奈米线中，总之银（Ag）含有尽量的导电性，但铜的价格对比银便宜一些100倍，其导电率仅比银低6%。再者，铜納米软件网站享有低生产生产成本核算预算、低片电阻功率、高透光率和高机械装备构造，这使它在不长的过去称为改变ITO有愿的得票数者中的一个。
可靠性是光电技术材料子元器和TCs元器为重要的效能必须其一。基本看来，产品的真正的工作情况并不只是所以满意和澄净。等要严标准已经例如高电流值、温度、高机屈服抗压屈服强度、遮暇屈服抗压屈服强度或低平率。显然，Cu-NWs-TCs在的室内坏境工作氛围下的如何快速钝化、酸碱性稀硫酸中的材料腐蚀和温度下的热分解拥有减少其使用的关键疑问。为着缓和等疑问，患者研发了GR、钝化石墨稀（GO）、材料、材料钝化物和聚合反应迟钝物当做保護层来加快Cu-NWs的可靠性，并了解了GR微米技术涂层在LED元器中的真正使用。但在光电技术材料元器的内壁的室内坏境和内壁的室内坏境等的室内坏境标准下，其长久的可靠性仍不满意。近三年以来，二维六方氮化硼（h-BN）而使高机屈服抗压屈服强度、高导电性、水平蜂窝状型式和电子层强度/滑腻度等**效能，使得了患者的诸多关注度。电子层蜂窝状型式是由硼和氮电子层的强共价键带来的，能**地反抗其他气体或固体原子的渗入。所以，其**的耐腐蚀可靠性和温度（800 ℃）下的抗钝化性而且远远高于GR。前者的了解界面显示h-BN壳在材料微米技术颗粒和微米技术晶上的包封效果。将Pt和PtRu锰钢微米技术颗粒 包装在几层h-BN壳层中转变成核壳促使剂，就能够**缓和CO慢性中毒疑问，激发燃料油锂电的电促使反应迟钝。所以，二维h-BN层与材料微米技术颗粒和微米技术晶严密通过，展显出出了其**的抗钝化水平，就能够加快其在一些效能上的可靠性。
那么形象和功能性的诱因，钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸墙和钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸窗在现如今搭建装修中的app越愈多。取暖、空气流通和空调的系統是可以说占搭建装修物能效比的一大半，通常情况下必须要 借助半透明的水泥墙和窗子来赔偿费电量财产损失。在现如今搭建装修中，电量需求量基本是借助窗子对激发光谱值为5 μm的中红外（mid-IR）光实行热扩散，而激发光谱大过5 μm的中红外（mid-IR）光是可以被经典钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸窗局部融合，重新导出为热扩散。一般用真空体镀银技术广泛应用制法了高条件反射率、低发射点率的镀银钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸，以代替经典的钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸窗，但其**的报价加重主导了其app。那么，具备成本更低费用、能调电子光学和性热能的智慧钢化磨砂夹丝玻璃纸钢纸相对保证我们稳私和节电现如今搭建装修内的扩散电量是必切不可少的。
近些年，厦门大学蔡端俊教授、李森森教授（共同通讯作者）宋江因有关资料了六方氮化硼钝化能力并制得出了超固定的、抉择性公开的铜微米线导体。小说作品进行低电压电学液相岩浆岩法，在Cu-NWs网络信息侧墙上本质生长的小量原子结构层的六方氮化硼（h-BN）保护措施层，使其在低温（负压900 ℃）、高干湿度（95% RH）和碱性/强碱/钝化剂悬浊液（NaOH/H2O2）下皆可刷出**的稳固性。有时，所制法出Cu@h-BN的光学窗的玻璃和电学安全性能指标与原Cu NWs基本性同（如高透光率（~93%）和高导电率（60.9 Ω/sq））。更与众不同的，该乳白色金属电极更具可看得出光和红外光的的选择运用性，依据Cu@h-BN微米线网路和液晶显示高技术，小说作家完美地制法新一种轻型自动化隐私权窗的玻璃，它能调整窗的玻璃能见度由乳白色到不乳白色的迅速的调成（0.26 s）；一并，运用Cu@h-BN微米线**阻止中红外光，可屏蔽了辐射源热，达到了节约能源的原因和做到控制红外追踪的的功能。将成了素自动化建设项目的黑社会控件之六。小说作家指明，这种Cu@h-BN核壳微米形式的五金机械建设项目在素高安全性能指标光学和光光学集成电路芯片中含着广泛性的运用。各种相关结果以“Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor”文章发表于ACS Nano上。
图一
（a）移转Cu NWs的真空度过虑整体示目的图；
（b）Cu NWs网的OM图案；
（c）Si衬底上Cu-NWs的SEM画面；
（d）320℃短真空（10-4 torr）退火30 min后CuNWs网络的倾斜SEM图像；
（e）单根Cu NW的TEM图文，显视[1-10]的能拉长方面；
（f）Cu NW的HRTEM画像；
（g）Cu NWs的XRD图谱；
（h）Cu NWs的EDS图谱。
图二
（a）Cu NWs上打包封装h-BN的LPCVD体统机制图；
（b）像学习目标的基板上的数据传输Cu NWs网站提示图；
（c）Cu NW上的h-BN壳的芯片封装；
（d）Cu NWs上的h-BN壳的三维图二极管封装；
（e~g）900 ℃升温30s，e）在并没有三氮杂硼烷前置前置前置前驱体的Cu袋中、f）在T1区有三氮杂硼烷前置前置前置前驱体、g）在T1区和T十区也有三氮杂硼烷前置前置前置前驱体的Cu NWs的SEM图形。
图三
（a）的不同T2气温下Cu@h-BN NWswifi网络的SEM画像；
（b）Cu@h-BN NWs网洛的TEM形象，显示信息了h-BN芯片封装的悍接接线头；
（c）氮化治理后Cu@h-BN NWs的HRTEM画像；
（d~f）不同为1个Cu@h-BN NW的Cu（橙色）、B（灰色）和N（紫色）的EDS的元素映图面简答TEM图面。
图四
（a~c）a）无，b）有和c）NH3流的Cu@h-BN NWs的XPS谱；
（d）经不一样的时候渡膜后的Cu@h-BN NWs的AES光谱分析；
（e）B和Cu的组成部分与AES取得的表层频率的方程关系的图；
（f）h-BN壳层体积尺寸与镀层两次的指数函数干系图；
（g）经与众不同时期表层的镀膜后的Cu@h-BN NWs复合膜的散射率光谱分析；
（h）h-BN装封左右Cu NWs网络信息散射率（550 nm）随片热敏电阻的变换斜率图；
（i）额定电压为3 V下，Cu@h-BN NWs TC进行连接一位工作上的朱红色LED的照片集。
图五
（a）在各种环境温度下转化成的Cu@h-BN NWs的功率电阻可以间的變化有规律；
（b、c）在200 ℃下，一些Cu NWs的维持性现场实验；
（d）在200 ℃下加温8h后的Cu NWs、Cu NWs/PMMA和Cu@h-BN NWs的手机照片；
（e、f）300 ℃和400 ℃下，对Cu@h-BN NWs进行稳定性试验；
（g）Cu NWs和Cu@h-BN NWs在85℃和95% RH干湿度状况下的长期性的安稳性检测；
（h、i）在碱溶液[NaOH (0.5 mol/L，pH=12)]和强氧化剂[H2O2 (0.65 mol/L)]中进行30 min的化学稳定性试验。
图六、智能隐私玻璃的制作和使用
（a）为Cu@h-BN NWs的TCs和PDLC的电子元器件组成；
（b、c）方法制度提示图；
（d、e）智慧玻璃纸的图片，体现透亮度和不透亮度情况相互间的可逆反应添加；
（f）在不一样的配位高分子化合物/LC比下，联席会直流电压对态互动交流率的的影响；
（g）石英玻璃和智能隐私玻璃在加热板（80 ℃）上方的关闭/打开状态的红外照片；
（h）早上12:00拍的自动化窗保持开起的情况的红外照片集；
（i）借助间隔按钮重复赢得的透光率；
（j）单独开/关间歇，提示异常时刻；
（k）在午饭沙滩灯照下作业4小时候200个时间的透光率的长时间稳判定高性。
本诗提出者好几个种方便、控制的血压低压高物理气质联用的堆积（LPCVD）方式方法在Cu-NWs层上外延性发芽二维h-BN壳层。小说做者选取稀硫酸法人工了**（~18 nm）和很长（>40 μm）铜奈米线。为气质联用的堆积提纯**2dh-B N壳层，小说做者设计制作好几个种磁控铜膜技术性和B/N前置前驱体更快供求工作方案。所得税到的Cu@h-BN奈米晶存在高的长径比（>1400），均值直径不低于为28±2 nm，高的光学反应透射率（550 nm时不低于93%）和高的导电率（60.9 Ω/sq）。必要的是，其在温度（进口真空900 ℃）、高对环境湿度的（95% RH）和强碱性、强酸强碱或腐蚀剂稀硫酸下赚取了**的热安全可靠义和耐腐蚀安全可靠义。小说作家还针对Cu@h-BNNWsTCs和PDLC成功的地设计制作一个多种双模自动化私密照片波璃，的控制了光、热数据的迟钝的控制和交流。小说作家看做，借助此类能力，h-BN或任何二维相关材料还可以借助直接的封装形式和与Cu-NWs的牢固搭配到比较迟钝地展现什么出**性能指标，其力争在**光电材料电子元器件和现今自动化建筑物中到广的app。
医学文献联结：Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor（ACS Nano,2020.,DOI:10.1021/acsnano.0c00109）
厦门大学蔡端俊教授论述组，暂时着力推进于金属质納米线缆料、二维半导体技术技术薄层、深UV分光光度计线光（DUV）半导体技术技术LED器材、智能化可穿着传感器器材之科研。在该方面刷快了了系列表作品，顺利组成全中国很细的铜米线（< 16 nm）并改变功指数函数调节器的深UV分光光度计线光透明图片图片参比电极应运，改变3D石墨稀 包装铜米线组成及全透明图片图片LED心片制作，改变一锅法最快核壳合金类Cu納米线网制作，顺利制作很大总面积二维单原子团层h-BN薄膜和珍珠棉（> 25 inch）并改变p型电导掺入，给出非相对性薄款AlN/GaN超晶格工人组成并改变了深UV分光光度计线光荧光的各向同性男化调变。
参考文献:
[1] Journal of Physical Chemistry Letters 11, 2559-2569 (2020).
[2] Scientific Reports 8, 13721 (2018).
[3] ACS Applied Materials & Interfaces 8, 28709 (2016).
[4] Nanoscale 10, 4361-4369 (2018).
[5] Scientific Reports 6, 34766 (2016).
[6] Nanoscale 7, 10613–10621 (2015).
[7] Scientific Reports 3, 2323 (2013).
[8] Laser & Photonics Reviews 7, 572 (2013).
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