中文名字字命名：CdSe/ZnS量子点掺杂聚甲基丙烯酸甲酯材料

两种別称：(CdSe/ZnS)/PMMA量子点掺杂光纤材料

纯净度：98%

内包装：mg级和g级

交货期：半个月

网址：兰州

生产厂家：绵阳杏彩体育平台 怪物网络有现工厂

将CdSe/ZnS(核/壳)量子点添加聚甲基丙烯酸酯甲酯(PMMA),形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子点掺杂光纤材料.测量了不同掺杂浓度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收谱,发射谱和折射率.与正己烷溶剂中的CdSe/ZnS量子点比较,PMMA基底不改变CdSe/ZnS量子点的吸收和发射峰值波长.在掺杂质量浓度范围0.013～0.130mg·mL-1内,实验观测到了光致荧光(PL)峰值强度具有单峰并呈指数平方变化的规律.随掺杂浓度的增加,常温下折射率大可提高0.0013,PL辐射峰波长出现红移并逐步增大,大红移量受限于斯托克斯频移.红移产生的原因为量子点的二次吸收-发射和掺杂浓度效应.

由图1可见，PMMA底材中CdSe/ZnS量子点(直径为5.5nm)的一吸收峰位于600nm,荧光峰位于615nm,斯托克斯频移为15nm,与先前测量的在正己烷中的吸收峰和发射峰波长一致。因此，可认为PMMA基底没有改变CdSe/ZnS量子点吸收谱和发射谱波长。

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量子点定制产品目录：

氧化石墨烯量子点修饰氧掺杂多孔g-C3N4

L-半胱氨酸/CdTe量子点修饰电极

巯基丙酸修饰CdTe量子点

单分散g-C3N4量子点修饰一维棒状BiPO4微晶(g—C3N4/BiPO4)

Ag3PO4量子点修饰Ag3PO4/Bi2WO6异质复合材料

石墨烯量子点修饰柔性硅纳米线阵列

碳量子点修饰二氧化钛纳米片阵列薄膜

FeO量子点修饰BiO/gCN复合材料

碳量子点修饰锂硫电池正极材料

氮掺杂碳量子点修饰富氮石墨型氮化碳复合材料

NiP量子点修饰多壳CaTiO立方体

碳量子点修饰氮化碳

功能性碳量子点修饰AgInZnS量子点

巯基乙胺修饰CdTe量子点

L-半胱氨酸修饰CdTe量子点

纳米金修饰CdTe量子点

溴化铅铯量子点修饰氧化锌复合材料

金属型二硫化钼量子点修饰TiN纳米管阵列复合材料

石墨相碳化氮量子点修饰ZnS微米复合材料

Fe掺杂黑磷量子点修饰钙钛矿

半导体型MoS量子点修饰TiO纳米棒阵列

聚溴甲酚绿/碳量子点修饰玻碳电极(PBG/CQDs/GCE)