六方氮化硼（h-BN）不是种二维层状联通宽带隙绝缘性原食材，其设备构造与石墨稀类试，但带隙万代高达~6 eV。它不仅长期存在通畅二维原食材长期存在的性质外，如垂直面二维设备构造、面长期存在原子结构的级弄平，不长期存在瓦特连杆键和陷坑正电荷等，h-BN还长期存在独家且**的流体力学、物理化学、热动态平衡, 双曲光电加工过程性质及声子机械振动性质，为此在非平滑光电加工过程行业领域、红外光谱脉冲激光器/检测器、近场光电加工过程/三维激光散斑、与保养层原食材等几个工作各等方面长期存在丰富的操作。除此之外，h-BN可以做为介电层、隧穿层、保养原食材与以外的别的二维原食材形成异质结，而展现什么出一些新奇的的性能，在光/微电子元器件等几个工作各等方面操作。现在，虽至今晶圆级（4寸大）长宽比的h-BN多晶硅胶片的发芽应用案例，但在发芽考核机制、加工过程、加工过程、配备等等几个工作各等方面，均不发育成熟，愈加在大占地多晶硅胶片的发芽考核机制、房产调控方法步骤、异质设备构造等等几个工作各等方面。除此之外，h-BN做新型声子原食材和非平滑的关系原食材，在单激光放出、近场光电加工过程三维激光散斑、双曲透镜等等几个工作各等方面第一次见疑团，为此会受到了教育界界和工业制造界的多重要重视。

哈尔滨工业大学材料科学与工程学院/“微系统与微结构制造” 教育部重点实验室胡平安教授课题组，自2012年以来，在国内率先开展了针对h-BN的生长机制、调控方法、大面积单晶薄膜的制备等的研究工作，取得了一系列原创性成果。近期受《Adv. Mater.》期刊邀请撰写了题为“ Atomically Thin Hexagonal Boron Nitride and Its Heterostructures”的长篇综述。该综述系统总结了h-BN生长调控和光电子器件应用方面的系列成果（DOI:10.1002/adma.202000769）。本文要求了表表层本质调节作用是大外形的尺寸大小多晶硅化复合膜种子发芽的的要素，呈现了h-BN与衬底两者的外加干系，管理h-BN晶畴认知同步性是完成大大小多晶硅复合膜的核心思想，归纳归纳了种子发芽的衬底对h-BN种子发芽的的调节作用。利用增加合金村料催化反应剂多晶硅晶畴外形的尺寸大小、便用多晶硅合金村料、液体合金村料衬底等方法，完善多晶硅复合膜的外形的尺寸大小。一并，在多晶硅复合膜种子发芽的调节作用的基本知识知识上，直接的种子发芽的别的二维村料进行异质结格局设计，维持异质结表层的乾净及分子级换季，是营造高的性能异质结元器的基本知识知识，也是思考新的物理上的情况及制度的村料安全保障。在h-BN举例异质结格局设计的基本知识知识，该研究简略归纳了h-BN在电学及光电公司子元器中用收获，有点是h-BN有所作为非规则化光电器件和声子村料，所展示出出的沉醉的本质和的难忘的优点，列举这么多将是h-BN中国未来用的新范畴。

该综述论文诗人为齐齐哈尔工业企业二本大学“微系统性与微结构类型制造技术” 教育培训部重心研究室张甲教学。