Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)聚酰亚胺膜是在非高压气旋涂艺，并且在450 °C至575 °C的环境温度下硒化，在钼耐磨涂层的柔软冷库保温隔热板的表层衬底上备制的。

学习了硒化温暖和铁铝离子溶液浓度对CIGS日头能充电电池光电技术特性的干扰。大多数的x放射线衍射(XRD)谱图与CIGS相相相适应。随之硒化温暖的提升，未夹杂着CIGS透气膜的衍射峰抗拉强度提升。

但跟由于硒化体温的减少，铁正阳离子掺入CIGS贴膜的XRD峰抗拉强度减小，他是是由于铁正阳离子掺入后CIGS贴膜的热稳定可靠性越来越低可致。跟由于硒化体温的减少，CIGS贴膜中小粒的尺寸减少，贴膜外层呈平扁状高密度化。

在450 °C前提条件下制法的CIGS太陽能电瓶的Voc、Jsc和填冲数值分开为0.401 V、21.84 mA/cm2和41.12%。等数据现在硒化温湿度的提升而明显增强，它是基于CIGS心得度的上升和微观粒子成分的紧密化。

但铁化合物掺入会在低温下扩散作用到消化吸收层中，会造成光电公司科技功能严重。探析反映，铁化合物掺入对CIGS太阳光能手机电池的光电公司科技功能和微结构的有了不良后果后果。

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