在双轴拉长应变力为0% ~ 5%的必要条件下，因为体积密度泛函实际系统化确定了掺铁二维GaN的型成能、还能带格局、介电指数方程、吸收能力指数、折射率指数和材料耗费指数方程，并具体分折了带隙转化的机制。

結果证明，随之双轴剪切运动应力应变速率的增强，Fe-N和Ga-N的键长呈线形增长，带隙呈分批波动。結果证明，二维GaN: Fe都是种可以带隙半导体技术，其带隙业务类型没受双轴剪切运动应力应变速率的反应。

未应对力2D GaN: Fe的静止相对相对介电常数为28.6，渐渐双轴拉伸形变运动应对力的不断增加，2D GaN: Fe的相对相对介电常数过大，应响2D GaN的电势储存方式数量:渐渐应对力的过大，Fe强化，附生电解电容过大，汲取因子、反射率和耗损率数学函数的基线过大，意味着双轴拉伸形变运动应对力会较为严重的应响二维GaN: Fe的磁学性。

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