在独立处理芯片上达到很多个器材的垂直于单支集成型型都拥有克服自己用料和初中热学效能的首要受到限制的种有就业前景的的方法，实现集成型型满足计划书，可以提供了根据其相互依存初中热学性状的特别成功，以**加快器材效能。

在这种，我们公司设定没事种深太阳光的紫外线带光电公司感(DUV LED)，并集就成为了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)构造构造的乘性光电公司转移器(MPC)，以诱导型电光转移，然后能大大从而提高空穴引入效应。

种p-i-n GaN机构**根据汲取DUV光，那么导致電子空穴对，带来空穴增涨器的用。

在p-i-n GaN构成中，新学员成的光电-空穴对**被电场强度在一起，使二个空穴被驱程到二个量子阱中，**促使了辐射源结合，若想实行了21.6%的高壁塞工作效率(WPE)。

与传统艺术的DUV led对比，WPE提高了60倍。论文所标准的片式整合原则为联合开发**发光字元器出具了指导思想。

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