构建了光电材料g-ZnO/α-CNH van der ;Waals （vdW）异质结构。

基于**性原理计算，研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质成分形成ii型能用排列方式，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），有有助于电商空穴对的**破乳，缩短载流子的期限。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我门的事情也从带电粒子地域分布的弯度搞定了异质结的各向情人或各向同性恋者故障，

并反映出挣脱原原料的各向喜欢的人可能减少原原料的光電耐热性。该工作中为光電元器件封装的设计构思作为了有附加值的可以参考。

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