在充分发光字电子元器件大家庭中的一员-二极管（OLED）中，其它三大态激子都可不可以以根据体统设计热缴活延后荧光（TADF）放出器的是交叉体统间是交叉（RISC）得到光。成了确保**的TADF，RISC应当是最快的。

因此，为了实现快速RISC，在本研究中，报告了一种新型TADF发射体，即TpIBT tFFO。TpIBT-tFFO与IB-TRZ进行了比较，后者包含相同的电子供体和受体片段，特别是亚氨基二苄基和三嗪部分。TpIBT-tFFO基于最近提出的一种分子设计策略，称为**距离倾斜面对面排列（tFFO），而IB-TRZ是一种传统的直键型分子。

根据量子化学计算，TpIBT tFFO预计会有一个非常大的RISC速率常数kRISC，因为根据tFFO策略的设计，不仅**三重态，而且****三重态都接近**激发单重态。

IB-TRZ有两种不同的构象，导致双重发射。相反，由于良好的填充，在tFFO系统中构象固定为1，导致TpIBT-tFFO的单峰发射。

与IB-TRZ相比，TpIBT-tFFO表现出TADF型行为，并提供了更高的光致发光量子产率（PLQY）。TpIBT-tFFO的kRISC测定为6.9×106s−1，它是仅由H、C和N原子组成的分子中的最高值之一。

基于TpIBT-tFFO的OLED的外量子效率远高于基于IB-TRZ的OLED。本研究证实了tFFO设计实现快速RISC的**性。研究发现，基于tFFO的发射体表现出一个额外的特征，能够控制供体和/或受体片段的分子构象。

在tFFO概念的基础上，我们开发了一种贯穿空间型分子，即TpAT tFFO，它被证明可以实现非常大的kRISC>107秒−1，尽管它只由H、C和N原子组成。

有机分子TpAT-tFFO具有快速逆向系统间交叉，可用于制造**的有机发光二极管。

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