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光电材料|利用H+、He+和N+离子束注入改性新型光电材料GaN
发布时间:2022-01-17     作者:光电材料   分享到:

选择卢瑟福后向漫射光谱法和沟道法的研究了氮化镓的设计和结晶体产品品质。

通过不锈钢-无机气相色谱概念法在蓝晶石上发展。将其他阴阳离子势能和含水量的H+、He+、N+装入GaN中。

对值入后移火做了深入分析。顺利通过霍尔在线测量,我们公司看见某温渗碳后电容率增高了7-6个數量级,H+、He+和N+的优化调整渗碳温各用约为200-400℃。

纵使在600-700℃退火处理后,阻值率依然很高。

小编我认为,氮化镓样机的电容率不同是由空位和植入性的放射学性磨损所致的。

更加多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化剂的作用板材(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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