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光电材料|CsPbBr3量子点嵌入聚甲基丙烯酸甲酯作为电荷捕获层的非易失性光电存储器
发布时间:2022-01-11     作者:光电材料   分享到:

非挥发性有机场效应晶体管(OFET)光电材料存储器由于其特殊的光电存储机制和应用领域。

画像获取和光讯息储备等,受到了人民的具有广泛性重视。

惋惜的是,传统式的浮闸和隊道层几步准备最简单的方法多样化,不好于大适用面积准备。

一种钙钛矿量子点(QDs)嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为电荷捕获层的非易失性OFET光电材料存储器。

在光或光学编程序作业的和电擦除作业的这段时间内,光学存储器器能**地掌握和发出光引发的载流子。

用滚动栅和桥隧层几步法治建设备的光电产品数据手机存贮器的数据手机存贮特点可与传统型数据手机存贮器相抗衡。

于此,该记忆训练设备在曝光于的空气中一周后仍更具稳定的使用期限和耐力功效。

因此,采用量子点/PMMA复合光电材料作为电荷捕获层的存储器在光电器件中显示出巨大的应用潜力。

多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

加硫铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉促使素材(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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