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基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA:以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的高辐射率近红外电致发光
发布时间:2022-01-08     作者:zhn   分享到:

基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA:以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的**高辐射率近红外电致发光


完成碳原子形式设计和形式的调整,研发出的2,3-二氰基醋蒽并吡嗪(DCPA)衍生产品物能能满足**的近红外电致有光。

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这类衍生物(DCPA-TPA及DCPA-BBPA)采用**的生色团蒽作为核心,并保持了氰基及醋蒽并吡嗪的协同效应;

经由进几步对接芳胺算作微电子给体,合理利用氧氧分子内正正电荷变动逻辑都可以使人闪光**的红移。经由软件系统设计显示,这一类产生物因激动的氧氧分子内正正电荷变动用处得以有着较大的的激活态偶极,

这使得DCPA-TPA及DCPA-BBPA在聚集态下的发光光谱会因掺杂浓度的增加而发生**的红移,二者非掺杂薄膜的发光峰均超过800 nm。同时,生色团蒽的引入可以使得DCPA-TPA的S1态保持较高的振子强度,有利于窄带隙的辐射跃迁,DCPA-TPA的非掺杂薄膜具有较高的荧光量子产率(8%)。

按照单晶体考试察觉到,DCPA-TPA其有分子式结构的的不正确称性成型了大维度的交叉点沉积(X-集聚)经济模式。


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基于DCPA-TPA及DCPA-BBPA的掺杂器件即可实现发光峰超过700 nm的深红/近红外发光。而非掺杂器件则实现了起峰位于700 nm,峰值超过800 nm的近红外发光。基于DCPA-TPA的非掺杂器件实现了0.58%的**外量子效率。进一步优化器件结构,DCPA-TPA的非掺杂器件可以将**辐射率提高至20707 mW Sr-1 m-2。而采用了更强给体的DCPA-BBPA的非掺杂器件实现了发光峰位于916 nm的近红外发光。image.png

图4:DCPA-TPA及DCPA-BBPA的非掺入元器件封装空间结构及耐热性。


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贴心建议:仅中用教学科研,不要中用机体实验性!就zhn2022.01.08