光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
运用较低温度稀释剂热法纪备了总值比表面积为4.4 nm的ZnO量子点。
以ZnO QD盐溶液为塑料原材料,应用飞速转动玻璃镀膜新技术制法了ZnO QD塑料膜,并分别为在250、350和450℃渗碳。
时间推移热处理总值温度提高至450℃,ZnO的总值晶粒度长度和可以隙对应由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV提高和减慢。
光致变色研究分析证实,包覆机ZnO贴膜和250℃热处理回火的ZnO贴膜中出现高比热容的氧空位;此类问题在体温提升到350和450°C时削减。
bopp聚酯薄膜的光电公司能力受晶粒度长宽高和bopp聚酯薄膜中缺欠的后果更大。
跟随着环境温度提升到450℃,光暗电流值比(PDCR)从3723降低了到371%,而死机率从1.25提升到218 mA/W。
as耐磨涂层和250°c固溶处理的pet薄膜因此其较好 的表面能与体型比,在PDCR、持续上升周期和的降低周期上有着较好的光卡死,使其变成 钙钛矿阳光直晒能電池中的光学传送数据层。
更好地推存
meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
加硫铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉促使产品(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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