加水热法，在不同的盐浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光电科技食材Cu2O透明膜。

使用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。

并对其光学的特点、电容（电容器）电压电流的特点和沟通电位差的特点实现了探索。未参杂和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。

当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。F元素的质量百分比为0.34%，禁带带宽从1.96 eV降低到1.91 eV。

光电子子压和光电子子流强度各是扩大到0.4457 V和2.79 mA/cm2。载流子浓度从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。

光下阻值值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。采用水热法，在不同浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光電用料Cu2O聚酰亚胺膜。

分为XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。

并对其光電的特点、电容器电压电流的特点和联络电位差的特点使用了探究。未夹杂着和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。

当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。

F稀有元素的产品质量百分比计算为0.34%，禁带上行宽带从1.96 eV削减到1.91 eV。光学压和光学流孔隙率各自增大到0.4457 V和2.79 mA/cm2。

载流子含量从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。光下电阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。

非常多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化氧化产品(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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