光电材料|Bi3+掺杂对ZnO薄膜微观结构和光电性能的影响
采用溶胶-凝胶旋涂技术成功地制备了光电材料铋掺杂ZnO (BZO)薄膜。
所采用扫描器光学光学体视显微镜(SEM)、动能散射光谱仪(EDS)、散射光学光学体视显微镜(TEM)、选泽性地区光学衍射(SAED)水平和光致会亮(PL)研究方案了浓硫酸浓度对pe膜微电子性能参数的会影响。
结果表明,成功将光电材料Bi3+掺杂到ZnO晶格中可以产生更多的光致载流子。
随着掺杂率的增加,薄膜的晶粒尺寸减小。1% Bi3+掺杂BZO薄膜的光电流比纯光电材料ZnO薄膜高25%。
更加多推存
meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化反应装修材料(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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