科研人员实现了使用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 材料的设计限制，这是一个由两部分组成的系统，

即咔唑作为供体单元和二氰基苯作为受体单元，两者相互扭曲，导致 HOMO 和 LUMO 局部化分别在每个部分上观察到小的 Δ E ST。TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，通过降低驱动电压来提高设备的功率效率。

因此，Seino等人。能够利用4CzIPN创建一个设计有载流子和激子限制以及来自激基复合物的能量转移的器件，以创建具有超过 100 lm W -1的高功率效率的绿色 OLED 。这种性能可与含有铱基发光物质的 PHOLED 相媲美。

Masui在2CzPN 中显示出 S 1和 T 1 –T n吸收之间的显着光谱重叠，这在显着单线态激子密度的情况下解释了基于 STA 和 TTA 机制的激子猝灭机制负责显着的外部量子效率 ( η EQE ) 滚降行为。

Kretzschmar等人。从流行的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN开始，衍生出单和二卤代衍生物，结果是低单线态 - 三线态间隙为 ~0.04 eV（实验确定），荧光寿命与由于重-卤素的原子效应。未报告设备数据。

在 TADF 设备中观察到的运行稳定性降低可能是由于长寿命的三重态能量物种导致了不需要的化学反应。引入辅助掺杂剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，以及一个发射物质2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 由于在高度优化的浓度下单线态激发的4CzIPN-Me和 TBRb之间的 Förster 能量转移，因此可TTA 。包含辅助掺杂剂的器件显示出更长的工作寿命（亮度下降到初始亮度的 0.5 的时间）。

传统基于 TBRb 的 OLED 器件的寿命为 5 小时，基于4CzIPN-Me的 TADF 器件为 1472 小时，含有辅助掺杂剂的 TADF 器件（称为 TAF 器件）为 3775 小时。因此可以使用具有更短三重态寿命的辅助荧光团来实现装置稳定性。

表 2 聚合物和树枝状咔唑基 TADF 发射体

参考	发射器	设备几何	开启 (V)	L cd m -2	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	HOMO (eV)	LUMO (eV)	(nm)	电磁 (nm) (QY)	电磁 (nm) (TF)	E S 1 (eV)	ë Ť 1（eV）的	Δ E S–T (eV)
L：亮度；CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。																																																																政协	ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.0	554	3.6	3.67	1.34	0.25, 0.47	-5.38	−2.57	—	472  (9  )	487 (8)	—	—	—
PAPTC	2.6	10 251	41.8	37.1	12.63	0.30, 0.59	-5.33	−2.77	—	510  (22  )	510 (28)	—	—	—
李等人。	pCzBP	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 混合物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	6	5100	24.9	9	8.10	0.28, 0.43	−5.41	−2.76	307, 361	472 (28)	508 (23)	—	2.69	0.18
树枝状 TADF 发射器
阿尔布雷希特等人。	G2TAZ	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al	3.3	—	—	—	2.40	0.251, 0.493	−5.76	−3.01	—	—	—	2.77	2.74	0.03
	G3TAZ		3.5	—	—	—	3.40	0.266, 0.485	−5.72	−2.97	—	—	—	2.79	2.74	0.06
	G4TAZ	与上述相同的设备几何结构	3.5	—	—	—	1.50	0.232, 0.368	−5.68	−2.8	—	—	—	2.86	2.79	0.06
李等人。	CDE1	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（器件 A1–A4）或 CDE2（器件 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al	4.8	>10 000	—	—	12	0.38, 0.56	−5.12	−2.54	289, 299, 349	—	520 (77)	—	—	0.11
	CDE2		7.7	>10 000	—	—	5.2	0.32, 0.51	−5.25	−2.69	289, 298, 348	—	499 (75)	—	—	0.15
罗等人。	CzDMAC-DPS	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm)	4.0	—	30.6	24	12.2	0.22, 0.44	−5.24	−2.31	240, 299, 349	498	492	2.95	2.86	0.09
	DCzDMAC-DPS		5.4	—	3.8	2	2.2	0.18, 0.27	−5.18	−2.09	240, 299, 349	484	464	3.07	2.87	0.2
孙等人。	TA-Cz	ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al	2.6	25 085	18.2	14.3	5.5	0.41, 0.54	-4.95	-2.31	238, 264, 295, 347, 408	591	56	2.49	2.33	0.17
	TA-3Cz	与上述相同的设备几何结构	2.4	23 145	39.0	40.8	11.8	0.39, 0.56	-4.92	-2.28	238, 263, 295, 341, 408	541	71	2.5	2.29	0.2

表3 用于TADF的咔唑基主体材料

参考	化合物	热重（℃）	Ť 克（℃）	HOMO (eV)	LUMO (eV)	λ (nm)	λ Fl (nm) (QY)	ë Ť 1（eV）的	È 克（eV）的	发射器	设备几何	开启 (V)	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	L (cd m -2 )
CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；L：亮度；TAPC：4,4' - （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylaniline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基氧化膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三氧化钼；Poly-TriCz：三咔唑聚合物；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' - h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚氧化物；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。																																																																邻-CzCN	350–440	94	−5.74	−2.16	295，328，341	403	3.01	3.58	2CzPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) )	5.1	29.23	18.36	14.52	0.17, 0.23	2746
m- CzCN	350–440	121	−5.62	−2.14	296，329，344	403	2.81	3.48	4.8	26.37	16.56	14.98	0.17, 0.26	4992
p- CzCN	350–440	140	−5.59	−2.16	296，332，343	406	2.77	3.43	3.8	14.41	11.12	8.10	0.17, 0.28	7856
李等人。	o -CzDPz	333	70	−5.69	−2.16	293、327、340	397	3.02	3.53	4CzIPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/主体：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)	4.8	39.6	23.7	13.7	0.26, 0.54	12 780
	m- CzDPz	350	83	−5.63	−2.13	293、326、341	403	2.83	3.5	4CzIPN		4.5	37.5	22.0	12.1	0.30, 0.57	24 050
	3-CzDPz	378	89	−5.61	−2.21	288, 348	380	2.78	3.4	4CzIPN		3.8	41.1	32.2	13.3	0.31, 0.58	19 890
	米CPDPz	434	140	−5.67	−2.15	292、326、340	407	2.76	3.52	4CzIPN	与上述相同的设备几何结构	4.9	37.9	19.8	13.1	0.22, 0.49	12 130
西本等人。	锆石	474	—	−6.4	−2.5	287, 315	332	3.00	3.9	CzTPN	ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	4.20	37.2	24.4	15	0.18, 0.45	—
Cho等人。	数据	—	—	−6.14	−3.26	236、251、280、291	427	2.71	2.88	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 纳米)	3	—	—	26.7	—	—
盖伊等人。	微信公众号	—	110	−5.8	−2.5	—	—	3.02	3.3	4CzIPN	ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	4.8	81	79	21.5	—	—
金和李	微量CP	312	50–60	−6.1	−2.4	—	—	2.9	3.7	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP : BmPyPb 1 : 1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1纳米)/铝 (200 纳米)	—	—	56.6	28.6	—	—
	铅酸铅	—	—	−6.4	−2.7	—	—	2.78	3.7			—	—	—	—	—	—
赵等人。	o- mCPBI	400	130	−5.44	−1.86	324, 338	—	3.00	3.58	4CzIPN	ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.4	60.4	42.0	18.5	0.27, 0.58	—
	m- mCPBI	394	124	−5.4	−1.84	324, 338	—	2.80	3.56	—		—	—	—	—	—	—
	p- mCPBI	429	141	−5.44	−1.89	324, 338	—	2.71	3.55	—		—	—	—	—	—	—
班等人。	TZ-Cz	382	96	−5.2	−2.31	236, 265, 295, 379	535，490	2.8	2.89	自宿主发射器	ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm)	40.00	20.0	—	6.5	0.24, 0.51	18 200
	TZ-3Cz	407	128	−5	−2.11	238, 263, 293, 379	535，487	2.8	2.89	自宿主发射器		3.60	30.5		10.1	0.24, 0.51	22 950
班等人。	tbCz-SO	380	80	−5.51	−2.32	235、265、298、350	475,440	2.91	3.19	自宿主发射器	ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al	5.1	4.0	—	2.6	0.16, 0.19	—
	POCz-SO	410	113	−5.6	−2.41	231, 278, 291, 348	475，458	2.90	3.19	自宿主发射器		6.1	10.5	—	6.2	0.18, 0.27	—
康等人。	ZDZ	—	—	−5.71	−2.19	294, 327, 341	378	2.94	3.51	2CzPN	ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm)	5.00	10.72	—	18.5	0.17, 0.34	3231
	ZDN	—	—	−5.72	−2.27	294, 341	378	2.92	3.45	2CzPN		4.70	14.29	—	25.7	0.17, 0.34	6366
曹等人。	pCnBCzmme	447	141	−5.31	−2.18	298, 339	463  (51/63  )	2.69	3.13	4CzCNPy	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm)	3.2	27.8	16.8	8.8	0.31, 0.60	16 100
	pCNBCzoCF 3	400	165	−5.39	−2.47	289, 327	534  (13/20  )	2.64	2.92			3.7	26.5	13.4	8.0	0.32, 0.61	14 370
	pCNBCzmCF 3	402	134	−5.41	−2.45	285, 358	543  (43/55  )	2.64	2.96			3.3	26.4	13.5	8.0	0.33, 0.60	19 200
崔等人。	29Cz-BID-BT	—	—	−6.01	−2.55	270–300、325、340	360	3.02	3.46	DPAC-TRZ	ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120纳米)	—	—	—	20.8	0.16, 0.34	—
	39Cz-BID-BT	—	—	−6.07	−2.62	270–300、325、340	360	3.04	3.45			—	—	—	20.4	0.16, 0.34	—
丁等人。	9CzFDESPO	511	191	−6.07	−2.39	341、327、283、263、229	349, 366, 383  (49%)	3.0	3.68	DMAC-DPS	ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝	3.50	31.3	28.1	16.7	0.15, 0.30	—
	9CzFDPEPO	474	211	−6.07	−2.52	341、329、281、228	349, 366, 383  (58%)	3.0	3.55	DMAC-DPS		3.50	25.1	22.4	13.2	0.15, 0.30	—