采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。

XRD解析认为，时间推移In含水量的削减，塑料薄膜由**的立方米In2O3构成塑造为非晶相。

所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。

当x参考值0 ~ 0.9时，保护膜的电子光学带隙可从3.71 eV解调到5.29 eV。伴随In量的变低，霍尔知识率和载流子浓硫酸浓度减少，电阻值率加剧。

后果揭示，完成改变了in - al多组分，就能够**地的调节IAO薄膜和珍珠棉的特点，而使可APP于短光的波长光电子电子元件的光催化原理。

一些推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化橡胶铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉崔化资料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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