近红外二区量子点(PbSe)半导体器件量子点是一种种准零维的奈米文件,当粒状尺码进人奈米重量级时,尺码限域将致使尺码滞后作用、量子限域滞后作用、宏观政策角度政策量子铁路隧道滞后作用和外表滞后作用,而使派生出奈米管理机制建设有所差异于宏观政策角度政策管理机制建设和微观经济管理机制建设的低维物性,出显现出多数有所差异于宏观政策角度政策体文件的工具耐腐蚀质地。
近红外二区量子点(PbS)量子点具有波尔半径大(18nm),禁带宽度窄(0.41eV),能带结构对称,良好的光电导性质,较大的介电常数,吸收谱很宽且吸收系数高等优点,。我们知道,PbS量子点的光学性能主要受量子点的尺寸影响,可以通过控制合成量子点尺寸的大小来调节吸收光谱的范围,因此,如何实现PbS量子点尺寸的调控就显得尤为重要。在传统的量子点制作方法中,量子点尺寸的大小通常可以通过合成温度、反应条件等参量的选取来控制,实验的可重复性较差。
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