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近红外二区硒化银量子(Ag2Se)量子点结构和光学性质表征
发布时间:2021-11-19     作者:ssl   分享到:


近红外二区硒化银量子(Ag2Se)量子点形式和光学反应属性定性分析

硅化物半导体芯片量子点具备有显著的物理性学化学物质类型,属于尺寸规格依赖于的荧光试射、高的带光力度、高的光物理性学/化学稳定性和表面易功能化等,广泛应用于发光二极管(LED)、太阳能电池、激光器和生物成像等领域。因此,设计合成具有高荧光量子产率(PLQY)、可调的荧光发射和良好生物相容性的量子点是研究热点。

**近红外界面(NIR-II,900-1700 nm)荧光由于活体组织对其光子的吸收和散射效应降低,在生物医学成像和近红外LED等方面得到广泛研究。。以Ag2Se为例,它具有窄的直接带隙(0.15 eV),是一种理想的NIR-II荧光材料。然而,Ag2Se中Ag离子的高迁移率导致大量的阳离子空位和晶体缺陷,导致Ag2Se量子点的PLQY小于1%。因此,开发一种新的策略来获得高PLQY的Ag基量子点具有重要意义。

钻研相关人员选择合金属化的技术合出了银金硒(AgAuSe)量子点。该量子点发射峰位于978 nm,其绝对PLQY为65.3%(为目前报道的不含毒性重金属的NIR-II量子点PLQY的记录),发射半峰宽为90 nm,寿命为4.58 μs。结合变温光谱,表明该量子点PLQY增强的主要原因在于非辐射跃迁的****。进一步通过瞬态吸收光谱,表征了其激子动力学过程。该合金化策略对不同尺寸的Ag2Se量子点具有普适性,可在820-1170 nm范围内调节AgAuSe量子点的荧光发射光谱。这种具有无毒重金属元素的高PLQY量子点在生物成像、发光二极管和光伏器件中表现出应用潜力。

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无机物半导体行业量子点含有独具特色的初中力学化学上的材质,包扩长度忽略的荧光火箭发射、高的发亮承载力、高的光初中力学/化学稳定性和表面易功能化等,广泛应用于发光二极管(LED)、太阳能电池、激光器和生物成像等领域。因此,设计合成具有高荧光量子产率(PLQY)、可调的荧光发射和良好生物相容性的量子点是研究热点。**近红外窗口最大化(NIR-II,900-1700 nm)荧光仍然活体组识对其电子束的吸纳和散射现象减少,在生物学药学三维成像和近红外LED等领域实现大范围探究。Ag基量子点(Ag2S和Ag2Se)是**的不有毒副作用巨资属化学元素的NIR-II荧光电极。以Ag2Se举例,它兼具窄的一直带隙(0.15 eV),有的是种很理想的NIR-II荧光食材。那么,Ag2Se中Ag阴亚铁离子的高迁徙率引起过量的阳阴亚铁离子空位和晶状体常见问题,引起Ag2Se量子点的PLQY高于1%。因,搭建一款新的策略来赚取高PLQY的Ag基量子点兼具注重真正意义。

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PEG(聚乙二醇)原子核偶联近红外量子点

CdSeTe/CdS/ZnS量子点(QDs)

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InAs/GaAs量子点

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