CdTe和CdS 量子点的合并的办法

品牌介绍

水阴离子型CdTe/CdS量子点产品是以CdTe为核心，CdS为壳层，表面由亲水配体包裹的核/壳型荧光纳米材料，平均的量子产率为50%，储存时应避免阳光直射，4度密封暗处保存，可以为客户订制生产540nm～640nm任一波长的产品。本产品具有粒径均一，吸收光谱宽泛，发射光谱窄而对称，荧光强度高而稳定等特点。本公司目前可提供表面为羧基，巯基丙酸作为包覆剂的水溶性CdTe/CdS量子点。

光电器件納米微结晶（即量子点ＱDｓ）具有优良的光学、电学性能，已引起了人们的研究兴趣。量子点的光致发光特性和电致发光特性已得到了广泛地研究，但有关量子点化学发光特性的研究相对较少。水溶性ＣｄＳ量子点易于制备，并可以通过改变其组成、尺寸、形状和表面包被试剂来调节其发光特性。我们研究发现，不同包被试剂的 ＣｄTｅ量子点具有不同的化学发光行为，而有关包被试剂对 ＣｄＳ量子点发光特性的影响还未见报道。本文分别以半胱胺盐酸盐（ＣＡ）、半胱氨酸（Ｌ－ｃｙｓ）、谷胱甘肽（ＧＳＨ）为包被试剂，制备出３种粒径相同的水溶性 ＣｄＳ量子点。在优化的实验条件下，研究这些CdS量子点在不同氧化剂体系下的化学发光行为。实验结果表明，包被试剂对 ＣｄＳ量子点化学发光性能影响很大．因此，可以通过优化量子点的包被试剂来提高量子点的化学发光效率。

CdTe量子点的结合

1.Te 前体的光催化原理：称取 0.0127gTe 粉，处于三口瓶中，加盟 1.0mL十九烯，在氩气节日气氛中保证 30 分种。在重力作用箱中截取 1.0 毫升三辛基膦，接种渗入三口瓶，降温至 300℃，保热 3~5h 至黑色的纳米银溶液完整分解。

2.Te 前体的制法：称取 0.0127gTe 粉，放置到三口瓶中，渗入 1.0mL十七烯，在氩气积极性中长期保持 30 一分钟。在机械泵箱中选取 1.0 毫升三辛基膦，打针渗入三口瓶，降温至 300℃，隔热 3~5h 至褐色金属粉完成融化。

3.CdTe核量子点的分离纯化：区分称取0.15gODA和0.15gTOPO，短时间融入作出混合法氢氧化钠溶液中（18胺与三正辛基膦易吸潮）。

4.内充氩气除氧30min，慢慢加温比调稀硫酸，待固态垃圾熔化分解后不断不断升温至订座温，将就已澄清事实的碲前体飞速赋予表现器中，表现订座的精力后，不断攪拌甚至将表现装修标准闭式冷却塔至恒温。

5.用二甲苯洗條发应物品，用8000rpm/min速度慢离心溶合溶合30min，析晶固态垃圾奠定物。重新几次必须多少次后，用环己烷溶解完奠定物溶，能够得到量子点的环己烷硫酸铜溶液，将其密封带后背光永久保存电冰柜中。

CdS量子点光催化原理

以十九胺（ODA）为表面活性剂和溶剂合成了直径分别为2.5nm、3.5nm和5.0nm的CdS量子点。通过改变硫的添加量可以调整量子点的大小和组成。在合成过程中，随着硫含量的增加，CdS量子点的尺寸增大。另一方面，过量的硫将地消除硫空位，表面态发射。ODA能钝化CdS量子点表面的表面态，地表面态发射。

优缺点

本软件具备比表面积均一，代谢光谱仪仪局限于，发光谱仪仪呈对称，荧光标准高而安全等特性。

量子点具大的单单从外观上因素，跟随长度的变大其单单从外观上分子数加入，单单从外观上积与纵向外层积的比激增增高，单单从外观上能增高，单单从外观上丰富的不饱和点悬键特别严重被破坏了晶格阶段性，致使在量子点单单从外观上养成了多如牛毛空穴和手机问题态，影响力量子点的带光特点。加入量子点的带光利用率和光、化学上不稳定处理性就需用钝化量子点的单单从外观上态。一样有2种具体方法：①量子点表面修饰有机配体；②量子点表面包覆无机壳层。有机配体不能同时钝化量子点表面的电子和空穴陷阱态，且易受水、氧侵蚀和光降解，不能使量子点保持长期的发光和稳定性。

相应设备：

油无水磷酸氢ZnCdS/ZnS量子点 高亮蓝光 PL 400 nm-470 nm

油无水磷酸氢CdSe/ZnS 量子点 高亮绿光和红光 PL 480 nm--660 nm

油阴离子型CdTe/CdSe/ZnS 量子点 高亮红光 PL 620 nm--850 nm

油溶解性CdS 量子点 PL 360 nm--460 nm

油阴离子型CdSe 量子点 PL 480 nm-640 nm

油可溶CdSeTe/ZnS 量子点 PL 640 nm--820 nm

油阴离子型Cu掺杂ZnCdS 量子点 PL 480 nm--620 nm

水无水磷酸氢ZnCdS/ZnS量子点 蓝光 PL 400 nm-480 nm

水可溶CdSe/ZnS 量子点 PL 480 nm--660 nm

水溶解性CdTe/CdS 量子点 PL 540 nm--640 nm

水可溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子点 PL 620 nm--820 nm

水可溶性CdSeTe/ZnS 量子点 PL 640 nm--820 nm