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Nb2CTx-MXene负载氮化硼量子点(BNQDs@Nb2CTx)的介绍

发布时间：2021-09-15 作者：axc 分享到：

Nb2CTx-MXene过载氮化硼量子点(BNQDs@Nb2CTx)的价绍这段话完整解释了Nb2CTx-MXene过载BN量子点（BNQDs@Nb2CTx）的分解简答电催化氧化氧化NRR效能，并顺利通过的工作原理计算设计了BNQDs@Nb2CTx的NRR催化氧化氧化原理。

图1. BNQDS@Nb2CTx的自动合成期间图示图BNQDs不错和Nb2CTx自拼装生成BNQDs@Nb2CTx异质结构的，BNQDs@Nb2CTx成绩出NRR机械性能，其主要来自五湖四海于同一律各种面的协同工作体现：1）BNQDs@Nb2CTx用户界面网上强耦合电路不断增强了局部的导电性，有弊于NRR的过程的网上传送数据；2)Nb2CTx要求了BNQDs密集，而BNQDs作间断物制止了Nb2CTX納米片的堆砌，大化暴漏了渗透性位点；3)BNQDs兼备HER惰性性能，可要求Nb2CTx外观层的析氢体现，导致提高了NRR暂时性；4)BNQDs外观层兼备充沛的N2活性炭吸位点，有弊于N2的活性炭吸。DFT计算出来进那步是因为：BNQDs和N2CTx的融合帮助才能新创建高亲水性游戏用户游戏界面-B位点，游戏用户游戏界面-B位点有所作为最主要的亲水性机构，更具挺强的π-电子元器件反馈意见效率来有利于N2的产甲烷。NRR操作工作中，而Nb2CTx游戏界面的O位点非常倾向于溶解H。那么在增加直流电压的情況下，游戏用户游戏界面-B位点溶解的N2可与Nb2CTx游戏界面O位点提供了的H配合做出累计加氢生理反应，最后有利于了NRR操作工作的延续做出。

图2. a) BNQDs的TEM画面（图文并茂：BNQDs的尺寸分布点）。b) 纯N2CTx微米级片的TEM画面。c) BNQDs@Nb2CTx的TEM画面。d) 纯Nb2CTx 微米级片的HRTEM画面。e) BNQDs@Nb2CTx的HRTEM画面和 f) 此类的多彩画面。g) BNQDs@Nb2CTx的高倍HRTEM画面（图文并茂：黄颜色圈圈行政区域的如何快速傅立叶改变 (FFT) 画面）。h) BNQDs@Nb2CTx的STEM和此类的稀土元素开映射画面。

图3. a）BNQDs和BNQDs@Nb2CTx的XRD图谱。b-f) BNQDs@Nb2CTx的XPS光谱分析：B1s (b)；N1s (c); Nb3d (d); C1s (e); O1s (f)。g) BNQD 和 h) Nb2CTx的评均电势划分。i) BNQDs 和 Nb2CTx 之中的光电更换构造图。j) BNQDs@Nb2CTx的光电位置定位涵数图相。k) BNQDs和BNQDs@Nb2CTx的 PDOS。

图4. a) BNQDs@Nb2CTx在所有液体中的LSV线性。b,c) 兑换的NH3产出率和FE（五个侧量值）。d) BNQDs、Nb2CTx和BNQDs@Nb2CTx在一致水平放到-0.4 V的NRR电解法法2天后的NH3产出率。e) 1H NMR侧量。f) Ar/N2配置系统交替配置系统试验检测。g) 配置系统測試。h) 持久倒计时电压电流法測試。i) 在-0.4 V下默认和后NRR电解法法（24天后）的NH3产出率。

图5. a) Top-B位点上N2吸附的优化结构。b) 界面B位点上N2吸附的优化结构，以及c) 相应的电荷差异。d) 在top-B 和interface-B 位点上*N2的PDOS。e) 在零和-0.71 V的应用能量下界面-B位点上反应途径的自由能分布。f) BNQDs@Nb2CTx的NRR过程机理图。

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产品目录：

单层Ti2C mxene原位负载纳米铂

Nb2C|Ti2C|Mo2C|V2C Mxene 量子点(5-10nm)

Mo2C MXene薄膜直径 40mm

Cu、Zn掺杂Ti3C2 MXene量子点

Cu、Zn掺杂Ti2C Mxene量子点；直径5-10nm

Zn掺杂Mo2C Mxene 量子点 5-10nm

Cu、Zn掺杂Ta4C3 Mxene 量子点

Mxene Nb2C纳米线；Mxene Ti3C2纳米线

Mxene V2C 纳米线

单原子Pt/Ag/负载单层Ti3C2(1-5微米)