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通过CVD方法生长出高度结晶的多层二硫化钼(MoS2)薄片(图文介绍)
发布时间:2021-08-17     作者:axc   分享到:
实现CVD办法生冒出角度成果的三层二加硫钼(MoS2)薄片(数码影像介绍一下)

具有本征带隙的二维MoS2由于其在电子和光电子器件方面的潜力而引起了科研学着关注。 但是,由于这种材料的迁移率相对较低(甚至低于多晶硅),这大大地阻碍了其迈向实际应用。目前已经有一系列针对单层MoS2的研究,但是与此同时多层MoS2的研究相应的有所缺失。然而实际上,由于具有较高的态密度,多层MoS2具有比单层MoS2高得多的迁移率和驱动电流,这使得多层MoS2在薄膜晶体管、逻辑器件和传感器等方面更具应用前景。 然而,到目前为止报道的多层MoS2的**性能是通过机械剥离获得的,这并不适合实际应用,而目前化学气相沉积(CVD)合成的多晶多层MoS2薄膜,显示出低得多的迁移率。

为了推进多层为了推进多层MoS2的实际应用,我们通过CVD方法生长出高度结晶的多层MoS2薄片解决了上述问题。可以实现高达20层的MoS2以良好限定的AA顺序堆叠在一起,而且每层的边缘是原子级平滑的Mo原子锯齿形结构。多层沟道、原子级有序的边缘以及理想的接触几何形状使得这些CVD生长的多层MoS2薄片表现出优于机械剥离多层MoS2的电性能。除了场效应晶体管之外,这些多层MoS2晶体管也适合于构建基于单层-多层MoS2结的整流二极管。

【图文简介】

图1 合出不同于叠加层数的MoS2薄片

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a)用到桥拱阳极氧化Mo箔看作化学反应前体CVD繁殖MoS2的构造图。b)发展发育乙酰乙酸的大长宽高光学玻璃数字图像,显示信息了15-20层MoS2MoS2的发展发育,产出率≈70%,分配比例尺:50μm。c-f)CVD种子发芽的三层、5层、8层并且 17层MoS2薄片的光电技术图片。g,h)12层MoS2的光学玻璃图象或者AFM图象,其中的MoS2拥有≈20μm的每边。i)已知的是g)中MoS2打样定制的拉曼mapping 影像,其具有着在404cm -1处的峰。j) 该MoS2原辅料的PL mapping 图案,其顶值在1.80eV峰处。c-j)中的身材比例尺均为5μm。


图2 CVD生长MoS2薄片的层依赖光谱表征

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a) 分別是1,2,3,4,6,9和10层MoS2的电子光学图形。比倒尺:5μm。b-d)分离相当于a)中MoS2薄片的拉曼、PL和SHG谱。e)E2g1、A1g拉曼模试的层反作用感于规律基本不同之处。f)层反作用感于性PL峰地址和硬度。g)层反作用感于性SHG强。


图3 实验制备的多层MoS2的TEM和STEM表征结果

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a)浮窗在多孔碳TEM网格上的CVD发芽的多层电路板MoS2薄片TEM图案。正比尺:1μm。在a)下图层层MoS2上记号的1和3的SAED图案分别为如b)图和c)图下图。d)STEM-HAADF图案同时e)另外个双层以上MoS2薄片(填写内容)1-2层边缘处的养成图案。白色和米黄色球依次标识Mo和S水分子。比例表尺:1nm。f)从左到右各自是1至8层MoS2的STEM-HAADF摸拟图面。此例尺:1nm。g)AA堆叠的多层电路板MoS2的水分子结构设计。面内Mo-S键的主点同一,顶面的S水分子与下层的六角形主交叠。


图4 CVD种子发芽的多层高层MoS2薄片的电学特性

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a,b)双层以上机诫分离MoS2和CVD萌发的MoS2薄好莱坞大片的电学接受平面几何形态特征的表示图。c)在1V的偏压下16层MoS2的Ids-Vgs性质。插画:在40V的栅极电流下的Ids-Vds曲线美以其集成电路芯片的磁学图相。比例图尺:5μm。d)栅极的电压为0V时量测的1-8层MoS2结的Ids-Vds性状。插画:电子器件的光纤激光切割机的彩色图像。的比例尺:5μm。叠加层数忽略的e)微电子迁出率和f)Vgs=40V和Vds=1V时感应电流在测量值的数剧分析数剧,在这其中大红色柱指出CVD繁殖的MoS2薄片,蓝颜色柱指出机械装备剥除的MoS2薄片。

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硅基氮化硼/石墨烯异质结

CVD-PdS2薄膜

CVD-多层氮化硼BN薄膜

CVD-硅基单层氮化硼BN薄膜

CVD-少层氮化硼BN薄膜

CVD-WS2-WSe2面内异质结

CVD-MoS2xSe2(1-x)合金单晶

CVD-PtSe2单层薄膜

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