碘化铅(PbI2)薄膜的生长机制及表征(图文并茂)
经由块材晶状体电学剥离技术或电学液相沉积状结合的μm级薄片就已经呈现出多采用，从在常温下的低域值激射进有大卡死率和更加快卡死的高安全性能光電观测器。既使，有良好的操作趋向的PbI2本质性透明膜的大规模cm级滋生一种有挑战自我性。前者，PbI2本质性透明膜中晶界的材质还是根本无法捉摸。有主要是因为此，近几日，我们大家安全使用黑矿石算作三维模型衬底，阐明了大使用平数本质PbI2贴膜的成长制度化。促使未聚结晶体畴的个部分成长阐明了黑矿石上本质PbI2贴膜中换向晶畴的具备。确认将实验室结杲，还能能认识有效控制成长制度化的电运动学和趋势学环境因素，这为在的衬底上自动合成图片大使用平数PbI2与在多晶硅纳米材料上自动合成图片PbI2异质结抹平了主干道。
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图1. 在黑云母先以3 ℃/min降温带宽发芽的PbI2薄膜和珍珠棉的研究方法和多晶体形式。
图2. 矿石上PbI2膜的表现。
图3. 未聚结的PbI2钝角三角形形和贴膜的EBSD测量方法。
图4. 以37 ℃/min升温速率生长的PbI2薄膜的晶体结构表征。
图5. PbI2环和衬底间的相互间做用
图6. 萌发速度对透明膜光电技术耐磨性的干扰。
图7. 相对于以37 ℃/min加热波特率成长的原辅料，石墨烯材料结晶上PbI2溥膜的机构表现。
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