硅烯在Ag/Ir衬底外表面生长的原理的深入分析进行（最进更行...）

我们公司先简短地熟知关干硅烯理论与实践精准预测的很多本质特征和广泛应用，假如在外表保持竖直电场强度下，硅烯的可变带隙;在磁光相应下，硅烯的谷自旋偏振等，这化学性质和运用说清楚硅烯可被非常广泛运用于的发展的发展的奈米自动化集成电路芯片。对硅烯的发展的发展的探析、的发展放向和运用发展前途当了未来展望，而言硅烯的加工制作工艺 准备几个方面亟需进一个步骤全新升级，硅烯还是有着好的运用发展前途。

硅烯在Ag（11）衬底面上的结合形式：

在超抽真空的水平下，硅烯在银衬底上的概念生张的过程 很简化。感受到极强的表层互不目的，硅烯组成显示抽象化，氧原子的屈曲层次造成更改，对称性性影响，元胞增加。当衬底湿度不超500 K时，硅分子在Ag(11)外层时会生形成几种有差异 周期时间的格局相，当衬底温提高了到500 K时，在银衬底上导致这种秩序井然的大面積的一层成分，该成分的硅烯贴膜兼有稳定可靠的稳定可靠性和完整篇性。

500K时在A9l111)衬底达到的三层硅烯薄膜和珍珠棉的STM形貌图

矿烯的商分离开来STM形貌图

进行检测查证了硅烯的产生，直接定性分析了银衬底上外加产生硅烯的各式各样冗杂的原因，该进行检测为更进一次科学研究硅烯可以提供了坚固的进行检测根本和认识论根本。

硅烯在Ir (11)衬底面上的合成图片的办法：

用概念法在Ir （11）接触面的生长了硅烯。在超正空2 x10-10 mbar ( mbar= 100Pa)的条件下先在Ir（11）衬底做时期性溅射和降温，使低能网上衍射LEED) 式样中会出现显著的的Ir （x1）的衍射淤点，在STM的图相中仔细观察到明显的表明阶级划分。进而在Ir (11)衬底上制冷超真空箱必备条件沉下去积硅，经670 K下淬火30 min， 赢得的硅烯，如图是随时。

在Ir 11)衬底上外加生形成的硅烯塑料膜

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