单层硅锗(Si-Ge)薄膜外延生长步骤
在温暖为６００度影响，３寸大１１型Ｓｉ（１００）衬底上繁殖了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ单面结构特征，衬底过ＲＣＡ＋１０％ＨＦ酸冲洗后完毕送进机械，产生室本底抽真空ｌｆｆ７帕，衬底以顺转１０转每秒的转速三维旋转，繁殖压强约几帕次数级。繁殖环节以下：
１，以数据流量为２ｓｃｃｍ发芽Ｓｉ缓冲器层，发芽时长为１００秒。以提高外加衬底性能。
２，关停手机流量阀，抽出现室气味，以消减ＳｉＧｅ、Ｓｉ层出现干涉，优化系统出现的条件。
３，打开网页气路打开，使ＳｉＨ４与Ｇｅ撒气体混合型喂养均，时间段６０秒。
４，开放气路控制开关，以Ｓｉｎ４：６ｅＨ４比值６：１ＳＣＣＭ植物生长ＳｉＧｅ层，植物生长时问５０秒。
５，关毕气路按钮，对滋生室抽稳定度ｓｉｌ４４，Ｇｅｌ４４实验室气体３０秒，以刷快组分陡峭的ＳｉＧｅ，Ｓｉ层。
６，以２ＳＣＣＭ热度出现Ｓｉ顶层楼，周期４５０秒。
ＨＲＸＲＤ测试测试仪意味着可以刷快晶粒好ＳｉＧｅ本质层，ＸＴＥＭ测试测试仪（如下所示图）意味着可以刷快菜单栏清新，完善的层状结构类型，ｓｉ缓冲区层、ＳｉＧｅ层、Ｓｉ上层顺序厚为４０ｎｍ、４５ｎｍ、１８０ｎｍ。同時发现采购的硅片障碍较高，这肯定一件事们的外延性质量管理有重特大影响力。
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