基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

探究者进行分子设计束本质技术工艺，成功率光催化原理出大户型、高体积且高长宽比的Ge微米线，并进行其最为模板下载，使用重新岩浆岩法获取了Sn多组分大约~10%的GeSn/Ge两层微米线设计。在微米线包括柔软且**的比表户型，就能够使用回弹力塑性变形的途径选择弛豫施放GeSn/Ge之中晶格失配引出的能力，可以****GeSn/Ge菜单栏处的偏差生成。在GeSn包括偏窄的禁资源上行带宽度，由此特征提取GeSn/Ge两层微米线的光学测探元器件比Ge微米线光学测探器包括更长的测探激发光谱，展开到2 μm往上。要为**窄禁资源上行带宽度GeSn诱发的暗瞬时电压功率加剧，探究者进两步引出包括铁电性的P(VDF-TrFE)阴离子胶最为栅材质，使用侧栅政策调控升幅大大减少了GeSn/Ge两层微米线光学测探器的暗瞬时电压功率与动态功能损耗，可以控制了包括长激发光谱与低暗瞬时电压功率的光学测探，这对开拓Ⅳ族材料微米线设计在光学测探范围的探究与软件包括非常重要对比意义所在。

   

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