基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

设计分析科技技术人员进行团伙束外延性科技，非常成功化学合成出大占地、高体积且高长宽比的Ge微米线，并进行其为模具，依据分批沉淀法获取了Sn混合物相当于~10%的GeSn/Ge多层微米线组成部分。在微米线含有挠性且**的比表占地，能依据回弹性弯曲的措施自动弛豫挥发GeSn/Ge互相晶格失配获取的扯力，导致****GeSn/Ge表层处的缺陷报告导致。在GeSn含有很窄的禁上行资源带宽度，那么应用领域场景GeSn/Ge多层微米线的光電原材料子遥测元器比Ge微米线光電原材料子遥测器含有更长的遥测光光谱，覆盖到2 μm这些。成了**窄禁上行资源带宽度GeSn促使的暗功率增多，设计分析科技技术人员进一歩获取含有铁电性的P(VDF-TrFE)阴离子胶为栅物料，依据侧栅宏观调控有很大程度的减少了GeSn/Ge多层微米线光電原材料子遥测器的暗功率与静态变量能耗，导致体现了还具备着长光光谱与低暗功率的光電原材料子遥测，对待拓张Ⅳ族原材料微米线组成部分在光電原材料子遥测领域行业的设计分析与应用领域含有关键性关联性寓意。

   

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