| 产品 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| 厚胶 Thick Resist | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 负性 | 0.1um | 0.1-200 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 |
| SU-8 Microchem | g/h/i-Line | 负性 | 0.5um | 0.5-650 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 | |
| g/h/i-Line | 正性 | 1um | 1—30 | 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 | ||
| NR26-25000P | g/h/i-Line | 负性 | 20-130 | 厚度大，相对容易去胶。 | ||
| 电子束光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| SU-8 GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 | |
| HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| XR-1541-002/004/006 | ||||||
| HSQ Fox-15/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | \ | \ | 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| PMMA（进口） | 电子束 | 正性 | \ | \ | MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| 薄胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| S18xx系列 | g-Line | 正性 | 0.5um | 0.4-3.5 | 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定可靠。 | |
| SPR955系列 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.7-1.6 | 进口高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定可靠。 | |
| BCI-3511 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.5-2 | 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| NRD6015 | 248nm | 负性 | 0.2um | 0.7-1.3 | 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| Lift off光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（μm) | 适用范围 |
| KXN5735-LO | g/h/i-Line | 负性 | 4μm | 2.2-5.2 | 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 | |
| LOL2000/3000 | g/h/i-Line | / | NA | 130nm-300nm | 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 | |
| ROL-7133 | g/h/i-Line | / | 4um | 2.8-4 | 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 | |
| 光刻胶配套试剂 | 品名 | 主要成分 | 包装 | 应用 | / | / |
| 正胶显影液 | TMAH 2.38% | 4LR/PC | 正胶显影液 | / | / | |
| 正胶稀释剂 | PGMEA | 4LR/PC | 稀释剂 | / | / | |
| SU8 显影液 | PGMEA | 4L/PC | 显影SU8光刻胶 | / | / | |
| RD-HMDS | HMDS | 500ml/PC | 增粘剂 | / | / | |
| OMNICOAT | 见MSDS | 500ml/PC | SU-8增粘剂 | / | / |
光刻胶——高精度光刻的关键
在半导体设备行业加工域，上下游微光网上原料和机械是支持力这家银行业的最为关键的个部分。上下游微光网上原料涉及到半导体设备行业加工过 程当中用到的每个化工装修物料，收录硅片、光刻胶及辅助软件装修物料、光掩模、CMP 抛光剂用料、加工过程化学反应品、溅射靶材、 特种作业其他气体等。这之中，光刻胶是掌控**核心作用的重中之重原用料。
光刻是将电线立体图形由掩膜版转变到硅片上，为之后刻蚀方法做安排的流程。光刻是 IC 生产步骤中耗资较长、 難度很大的工艺设计中之一，耗资占 IC 制作 50%，的成本占 IC 加工制造 1/3。在做次集成三极管芯片加工制造中，总是要对硅片做出上10 光刻，其基本工作流程为洗掉、涂胶、前烘、对着、大大曝光度、后烘、成像液、刻蚀、光刻胶剥落、亚铁离子释放等。在光刻 进程中，需要硅片上涂上光刻胶，经UV太阳中的紫外线线大大曝光度后，光刻胶的电学物理性质有变换，采用成像液后，被大大曝光度的光刻胶将被去掉，三极管图文由掩膜版转到到光刻胶上，再路经刻蚀施工工艺，达成三极管图文由光刻胶转到到硅片上。
光刻胶是光刻流程较为严比较重要的消耗品，光刻胶的线质量对光刻高精度至关比较重要。光刻胶属于进行分光光度计光、准分子结构激 光、光电束、化合物束、X 放射性元素等光线的照晒或辐射源，其消融度有转变的耐蚀刻的材料。可能光刻胶具光化学上的 敏感度性和防结垢蚀的保障帮助，因为通过曝光过度、定影、刻蚀等加工制作工艺 ，行将微细控制电路几何图从掩膜版转出到硅片。尽管光刻胶研制制造费低，只不过能力堡垒高，不能够重复使用，未能存为。
光刻时候展示图
光刻胶依照使用情况不一可包含半导体技术光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶是半导产业化链的 原用料原则，长江上游为基本化工机械原用料和精致生物品市场，中等为光刻胶制得原则，河流下游为半导研制，较后势场是 光学好产品软件应用网络终端。
光刻胶的常见：
光刻胶的基本基本成分有光刻胶硅橡胶、光感剂、石油醚和调用剂。光刻胶硅橡胶是一种种惰性的缩聚物基本材料，是用做 将沒有食材聚合在一块的粘接剂；光刻胶的细胞迁移性、胶膜层厚等形态都有由树脂材料定的。光线传感器剂是光刻胶的核 心个部分，它对光模式的电磁电磁辐射能，尤其是是在分光光度计区光的电磁电磁辐射能会引发体现；拍摄時间、泛光灯所释放对光的难度都 和光线传感器剂的属性可以直接涉及到的。容剂是光刻胶中储存量较大的组分；如果光感应剂和插入剂是固态硬盘安装产物，只为将大家 平均地涂覆，要将它们的申请加入萃取剂进行融掉，确立液态氨材质，且使之具备良好的的外流性，能用补偿器方式刷抹 在晶圆单单从表面。生成剂是可不可以借以变换光刻胶的个别功能，如是可不可以根据生成着色剂来改变光刻胶，使其形成漫反射。
光刻胶的的品种种多变，依据光敏树脂材料的药剂学空间结构，按的技术可划分光缔合型、光转化型、光化学交联型几种。另一方面，正性和负性光刻胶是光刻胶的3个为重要不断研发创新，采光后建成可溶有机物的为正性胶，建成不宜溶有机物的为负 性胶。基于机械性能较优，正性光刻胶技术应用软件更广，但基于光刻胶市扬产量大，负性胶仍有条定的技术应用软件市扬。
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