将钙钛矿一体化到半导体技术分离纯化相关行业规格的光刻加工中。在这个探析中，水利师们的设计了了种光刻掩模的图案，把控好横面和横向长宽高，发掘出了了种把控好钙钛矿单晶体发芽的做法（图1）。

图1. 光刻掩模法外延性成长钙钛矿多晶硅

溶剂光刻輔助外延性植物的生长和转换方案

在核心上（图1），进这一步发掘了**、地设定钙钛矿多晶硅元器植物的生长和研发的方案—溶剂光刻辅助工具外延性生長和改变营销策略，使用随便衬底上分离纯化多晶硅杂化钙钛矿塑料膜。

图2是水溶液的光刻辅助器外延性生長和传递机制生产制造多晶硅钙钛矿的阶段提醒图举例产品和相对应多晶硅的品质定量分析。

探索技术人员用到杂化钙钛矿硫化锌（假如MAPbI3）为概念生长发育杂化钙钛矿单晶硅的衬底，另外，实用一楼2μm的花型化缩聚物（譬如对二甲苯）对于发芽掩模，第二步，合理利用光刻新技术在杂化钙钛矿大块晶胞的衬底上蚀刻掩模花型以掌握超簿晶胞膜的发芽。后，将多晶硅层从大块晶胞衬底上脱落，并在始终维持其图案与对衬底的黏附性性的时会迁移到任意衬底上。陆陆续续用对该杂化多晶硅透明膜的机构、电学、光纤激光切割机的等分析定性分析也足够验证了其**的多晶硅和光電学机械性能。

图2. 液体光刻辅助制作概念发育及转出策略性化学合成单晶体杂化钙钛矿透气膜

进一大步地，如图是3所显示，该单晶体bopp薄膜可被转至到回弯的平常衬底上，的尺寸约为1cm×1 cm×2μm，钙钛矿地处夹在俩层文件范围内的中性粒细胞机器装备平面磨上，导致致使胶片能能曲折。采用对应两百次的机器装备疲劳过度疲劳试验测试仪、光学材料显微解析还有电学解析感觉了其它的厚度依耐的机器装备柔性fpc线路板和载流子输运规则。

这款挠性板及优秀企业的载流子输运表现促使该多晶硅膜是可以融成到**挠性板透气膜早上的日光電池各种可穿着系统中，主要用于实现目标无源无线网元件。

图3. 单晶硅杂化钙钛矿bopp薄膜机诫柔性板及载流子输运的厚度依靠

紧接着，探究队伍利用率铅-锡构成基本成分日益影响的植物的生长期水溶液进行杂化单晶硅硅杂化钙钛矿的植物的生长期，保持了连续不断梯度方向带隙影响的单晶硅硅杂化钙钛矿pe膜（图4）。能够光学反应、SEM和电学以及数据分析分析方法说明了**等度带隙转变 的单晶硅杂化钙钛矿聚酰亚胺膜。

图4. 均值组成部分带隙管控单晶硅杂化钙钛矿pet薄膜衍生

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