衔接合金材料硫族有机化合物（TMDCs）二维层状产品获得非常多点赞，过渡期复合加硫物TMDs是一种类层状文件，通常化学物质式可写作方面MX2，其中的M代替作为衔接彩石稀有元素，收录Ti、V、Ta、Mo、W、Re等，X带表硫属原素原子团S、Se、Te等。相似食材拥有一个受人敬仰和尊敬的的电及光電功效，应该广的使用于电量转型和回收。是由于一些水分子厚的半导体芯片TMDs由二维上限表演出的好玩的机械后果，如原子核级薄的MoS2的栅极致病超导、双层结构MoS2的谷极化和自旋极化还有MoTe2从块体适应为少层历程中的能帶拆开不良现象等，那些多个原子结构厚的TMDs影响了探讨者们的大面积好感。或许，探讨者们大多都确认机械设备制造脱离法来才能得到二维层片的TMDCs，二维过渡性重金属加硫物层片的文件批量研发还极具成就感性。

硒化钒一种**的废轻金属性过渡期废轻金属加硫物（MTMD）。可能硒化钒中邻近的V4+-V4+对的强光学交叉耦合使其具有着铝合金性。基本块体硒化钒晶胞可以通过热学有机化学气质联用色谱仪传送数据新技术和之后的由上至下剥除时来兑换及納米技术技术厚的硒化钒納米技术技术片。这点剥除时较弱可以控制性性且难易投产兑换大规模一致的复合膜。只不过高效液相法、热学气质联用色谱仪沉淀积累、热学有机化学气质联用色谱仪沉淀积累法为代表着的自下而上分解具体方法开始被来制作一系列納米技术技术似然法的硒化钒片或硒化钒立式多晶复合膜等。但是可以控制性的兑换**、大晶体、宽度小于等于10nm也是编织成单层的硒化钒晶体还有**核心的价值。近些余载来“这一步法”（合金腐蚀物或合金氯化物与硫属单质反應）和“两步来完成法”（基低金属件化后进行塑炼）被大面积的于试下TMDs的可调结合。前某种种植方式方法更有可以结合板厚可调的**TMDs结晶或是大占地的pe膜。等等镶嵌方式方位的重大进展会有利于促进介绍过渡性彩石加硫物尺寸对其电/吸引力能的应响等方面的钻研，也可能利于TMDs在电生物学、锂手机电池等域中的操作。

了解了凭借“一次”有机化学液相沉积物法在分子级高低不平的云母片肌底上范德华生长发育刷出了1T相的薄层硒化钒VSe2微晶奈米技术级片。奈米技术级片的宽度都可以从几奈米技术级到一百多奈米技术级设定。另外科学生物学家看见二维单晶硅硒化钒具体表现出**的合金性，具备高的纯水电导率106S/m，比别二维文件的导电率高了1-4个频度。

在异质本质植物的植物的生长机理中，晶格等势面轴度和晶格常数需要好的符合。然后在范德华本质植物的植物的生长型号中据此规定应该放松，这使人层状的原材料应该在各个结晶等势面轴度和更大的晶格错配度（NbSe2在云母片上的发展错配度较高达50%）下实施异质概念成长。这一个技术性被中用在氟晶黑云母（KMg3(AlSi3O10)F2）肌底上萌发很多层状材料是指拓扑结构电绝缘体、优化铝合金混炼物、二维GaSe等。在这种办公中黑黑云母和硒化钒的晶格适应度较好，表面出相等的四重中心对称性。因此黑黑云母的晶格常数a1=0.53nm与硒化钒的a2=0.32nm的被配对，晶格错配度仅-3.8%。这些正常的搭配可使得硒化钒在矿石上的概念产生矩阵合同于传统与现代的同质概念模型工具。